【攻堅重大項目建設年】山西爍科年產100萬毫米碳化硅單晶項目啟動
該項目是我省在第三代半導體產業領域的重要突破
【攻堅重大項目建設年】山西爍科年產100萬毫米碳化硅單晶項目啟動
該項目是我省在第三代半導體產業領域的重要突破
本報訊（記者任志霞）7月30日上午，山西爍科晶體有限公司年產100萬毫米碳化硅單晶項目在山西轉型綜改示范區正式啟動。該項目是我省在第三代半導體產業領域的重要突破，對推動區域經濟高質量發展具有深遠意義。
山西爍科晶體有限公司作為國內第三代半導體碳化硅單晶襯底生產和研發的領軍企業，自2019年落戶綜改示范區以來，已先后突破“大尺寸低應力籽晶”“超高溫化學氣相沉積”等關鍵工藝，累計申請專利180余項，牽頭制定行業標准4項，公司4—8英寸碳化硅襯底總產能躍居全球前三。去年12月，公司全球首發12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底，圍繞碳化硅基底刻蝕制備衍射光波導鏡片的核心技術攻關，推動碳化硅刻蝕衍射光波導產品的研發與量產，有望令碳化硅AR眼鏡在輕量化、高清顯示與成本控制等多方面實現質的飛躍，加速開啟消費級AR的“千元時代”。
此次啟動的項目總投資約17億元，投產后將新增100萬毫米碳化硅單晶和30萬片碳化硅襯底的產能，並快速實現8英寸碳化硅襯底的產業化和12英寸碳化硅襯底的工程化應用。值得一提的是，該項目是2024年全國碳化硅襯底領域唯一一個通過國家發展改革委、工業和信息化部“窗口指導”批復的大項目，彰顯了其在行業內的重要地位和影響力，也標志著山西在第三代半導體材料賽道上繼續領跑。
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